None
(Ref. FQM-220)
08
junio
2025
junio 2025
| L | M | X | J | V | S | D |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | ||||||
| 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
| 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 |
| 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 |
| 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 |
| 30 |
Producción científica
VOLVER AL LISTADODetalles del artículo
| Publicación | |
|---|---|
| Título: | SOFT ERROR RATE COMPARISON OF 6T AND 8T SRAM ICS USING MONO-ENERGETIC PROTON AND NEUTRON IRRADIATION SOURCES |
| Título de la revista: | MICROELECTRONICS RELIABILITY |
| Tipo de aportación: | ARTICULO |
| Número de volumen: | 78 |
| Páginas de la publicación: | 38 - 45 |
| Año de la publicación: | 2017 |
| Autores: |
D. MALAGON S. BOTA G. TORRENS X. GILI JAVIER PRAENA RODRÍGUEZ B. FERNANDEZ M. MACÍAS JOSE MANUEL QUESADA-MOLINA C. SANCHEZ MARIA DEL CARMEN JIMENEZ-RAMOS FRANCISCO JAVIER GARCIA-LOPEZ |
[Decargar BibTex]